Intelが2024年4月18日、アメリカ・オレゴン州ヒルズボロの研究開発拠点で、業界初となる商用高開口数(NA)極端紫外線(EUV)リソグラフィの組み立てを完了したと発表しました。このEUVリソグラフィはオランダの半導体装置大手・ASML製であり、1.4nmプロセスに相当する「14A」プロセスノードの半導体製造に向けた重要な一歩と位置づけられています。続きを読む……
このサイトの記事を見る
Intelが2024年4月18日、アメリカ・オレゴン州ヒルズボロの研究開発拠点で、業界初となる商用高開口数(NA)極端紫外線(EUV)リソグラフィの組み立てを完了したと発表しました。このEUVリソグラフィはオランダの半導体装置大手・ASML製であり、1.4nmプロセスに相当する「14A」プロセスノードの半導体製造に向けた重要な一歩と位置づけられています。続きを読む……
このサイトの記事を見る