日本が次世代半導体の基板材料の欠陥を1/1000未満にする新手法を開発、生産速度も100倍ほどに増加する模様

1：名無しさん東北大学や日本製鋼所、三菱ケミカルの研究グループは、次世代半導体の基板材料として期待されている窒化ガリウム（GaN）結晶の新しい製造手法を開発した。結晶中にできる微細な空洞の数が従来手法に比べて最大10 […]…

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