次世代型「AlN」パワー半導体の実験に日本が世界で初めて成功、大きさを劇的に縮小することができる

1：名無しさん NTT物性科学基礎研究所は、窒化アルミニウムの半導体でトランジスタを作って動かす実験に世界で初めて成功したと発表した。将来的に電力ロスをこれまでのシリコン半導体の5％以下に抑えられる可能性があり、脱炭素に […]…

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